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Piezotronic effect in AlGaN/AlN/GaN heterojunction nanowires used as a flexible strain sensor.

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第一作者： Jianqi,Dong

第一单位： Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China.

作者： Jianqi,Dong ^[1] ; Liang,Chen ^[2] ; Yuqing,Yang ^[1] ; Xingfu,Wang ^[1]

作者单位： Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China. ^[1] School of Physics and Optoelectronic Engineering, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, China. ^[2]

关键词 AlGaN/AlN/GaN nanowires flexible piezotronic effect strain sensors strain tests top-down method

DOI 10.3762/bjnano.11.166

PMID 33364143

发布时间 2020-12-29

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Beilstein journal of nanotechnology

2020年11卷

1847-1853页

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