Modeling and Epitaxial Growth of Homogeneous <i>Long</i>-InGaN Nanowire Structures.

导出 LinkOut

翻译打印收藏纠错

第一作者： Sung-Un,Kim

第一单位： Optic & Electronic Component Material Center, Korea Institute of Ceramic Engineering & Technology, Jinju 52851, Korea.

作者： Sung-Un,Kim ^[1] ; Yong-Ho,Ra ^[2]

作者单位： Optic & Electronic Component Material Center, Korea Institute of Ceramic Engineering & Technology, Jinju 52851, Korea. ^[1] Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222, Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 04763, Korea. ^[2]

关键词 InGaN LED green gap molecular beam epitaxy nanowire

DOI 10.3390/nano11010009

PMID 33374536

发布时间 2021-01-23

翻译满意度评价：

准确一般字义偏差语意偏离译文作用小提交

浏览0

Nanomaterials (Basel, Switzerland)

2020年11卷1期

相似文献

中文期刊
外文期刊
学位论文
会议论文

检索历史清除

Modeling and Epitaxial Growth of Homogeneous <i>Long</i>-InGaN Nanowire Structures.

Nanomaterials (Basel, Switzerland)

相似文献

Nanomaterials (Basel, Switzerland)

相关期刊

参考文献：
指定格式：	NoteExpress EndNote RefWorks NoteFirst

检索历史 清除

Modeling and Epitaxial Growth of Homogeneous <i>Long</i>-InGaN Nanowire Structures.

Nanomaterials (Basel, Switzerland)

相似文献

Nanomaterials (Basel, Switzerland)

相关期刊

检索历史清除