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首页> ACS applied materials & interfaces> Maskless Device Fabrication and Laser-Induced Doping in MoS<sub>2</sub> Field Effect Transistors Using a Thermally Activated Cyclic Polyphthalaldehyde Resist.

Maskless Device Fabrication and Laser-Induced Doping in MoS<sub>2</sub> Field Effect Transistors Using a Thermally Activated Cyclic Polyphthalaldehyde Resist.

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第一作者： Alonit,Kafri
第一单位： Faculty of Materials Science and Engineering, Technion - Israel Institute of Technology, Haifa 3200003, Israel.
作者： Alonit,Kafri [1] ; Debopriya,Dutta [1] ; Subhrajit,Mukherjee [1] ; Pranab K,Mohapatra [2] ; Ariel,Ismach [2] ; Elad,Koren [1]
作者单位： Faculty of Materials Science and Engineering, Technion - Israel Institute of Technology, Haifa 3200003, Israel. [1] Department of Materials Science and Engineering, Tel Aviv University, Ramat Aviv, Tel Aviv 6997801, Israel. [2]
关键词 MoS2PPAdopingfield effect transistormaskless lithography
DOI 10.1021/acsami.0c19194
PMID 33464810
发布时间 2021-02-04
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ACS applied materials & interfaces

ACS applied materials & interfaces

2021年13卷4期

5399-5405页

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