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    首页> International journal of molecular sciences> Lithography Processable Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub> Barrier-Layered Chitosan Electric Double Layer Synaptic Transistors.

    Lithography Processable Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub> Barrier-Layered Chitosan Electric Double Layer Synaptic Transistors.

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    作者： Sung-Hun,Kim [1] ; Won-Ju,Cho [1]
    作者单位： Department of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University, 447-1, Wolgye-dong, Nowon-gu, Seoul 139-701, Korea. [1]
    关键词 Ta2O5a-IGZO channelchitosan electrolytehigh-k barrier layersynaptic transistor
    主题词 壳聚糖(Chitosan);电学(Electricity);电解质(Electrolytes);设备设计(Equipment Design);氧化物(Oxides);钽(Tantalum);晶体管, 电子(Transistors, Electronic)
    DOI 10.3390/ijms22031344
    PMID 33572820
    发布时间 2021-04-16
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    • 浏览4
    International journal of molecular sciences

    International journal of molecular sciences

    2021年22卷3期

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