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Surface-Potential-Based Compact Modeling of p-GaN Gate HEMTs.

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第一作者： Jie,Wang

第一单位： The Key Laboratory for RF Circuit and Systems of Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310012, China.

作者： Jie,Wang ^[1] ; Zhanfei,Chen ^[1] ; Shuzhen,You ^[2] ; Benoit,Bakeroot ^[3] ; Jun,Liu ^[1] ; Stefaan,Decoutere ^[2]

作者单位： The Key Laboratory for RF Circuit and Systems of Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310012, China. ^[1] Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC), Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium. ^[2] CMST, IMEC, Ghent University, Technologiepark 126, B-9052 Ghent, Belgium. ^[3]

关键词 compact model p-GaN gate high-electron mobility transistors physics-based models surface potential

DOI 10.3390/mi12020199

PMID 33671856

发布时间 2021-03-10

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