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首页> Scientific reports> Impact of device scaling on the electrical properties of MoS<sub>2</sub> field-effect transistors.

Impact of device scaling on the electrical properties of MoS<sub>2</sub> field-effect transistors.

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第一作者： Goutham,Arutchelvan
第一单位： IMEC, Leuven, Belgium. goutham.arutchelvan@imec.be.;KU Leuven, Leuven, Belgium. goutham.arutchelvan@imec.be.
作者： Goutham,Arutchelvan [1] ; Quentin,Smets [2] ; Devin,Verreck [2] ; Zubair,Ahmed [2] ; Abhinav,Gaur [3] ; Surajit,Sutar [2] ; Julien,Jussot [2] ; Benjamin,Groven [2] ; Marc,Heyns [4] ; Dennis,Lin [2] ; Inge,Asselberghs [2] ; Iuliana,Radu [2]
作者单位： IMEC, Leuven, Belgium. goutham.arutchelvan@imec.be.;KU Leuven, Leuven, Belgium. goutham.arutchelvan@imec.be. [1] IMEC, Leuven, Belgium. [2] KU Leuven, Leuven, Belgium. [3] IMEC, Leuven, Belgium.;KU Leuven, Leuven, Belgium. [4]
DOI 10.1038/s41598-021-85968-y
PMID 33758215
发布时间 2021-03-27
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2021年11卷1期

6610页

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