Doping Concentration Modulation in Vanadium-Doped Monolayer Molybdenum Disulfide for Synaptic Transistors.
第一作者:
Jingyun,Zou
第一单位:
Shenzhen Geim Graphene Center, Tsinghua-Berkeley Shenzhen Institute & Institute of Materials Research, Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen 518055, P.R. China.
作者:
DOI
10.1021/acsnano.1c00596
PMID
33764052
发布时间
2021-05-04
- 浏览1
ACS nano
7340-7347页
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