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首页> Materials (Basel, Switzerland)> On Relationships between Gas-Phase Chemistry and Reactive Ion Etching Kinetics for Silicon-Based Thin Films (SiC, SiO<sub>2</sub> and Si<sub>x</sub>N<sub>y</sub>) in Multi-Component Fluorocarbon Gas Mixtures.

On Relationships between Gas-Phase Chemistry and Reactive Ion Etching Kinetics for Silicon-Based Thin Films (SiC, SiO<sub>2</sub> and Si<sub>x</sub>N<sub>y</sub>) in Multi-Component Fluorocarbon Gas Mixtures.

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作者： Alexander,Efremov ^[1] ; Byung Jun,Lee ^[2] ; Kwang-Ho,Kwon ^[2]

作者单位： Department of Electronic Devices and Materials Technology, State University of Chemistry and Technology, 7 Sheremetevsky av., 153000 Ivanovo, Russia. ^[1] Department of Control and Instrumentation Engineering, Korea University, 2511 Sejong-ro, Sejong 30019, Korea. ^[2]

关键词 active species effective reaction probability etching kinetics etching mechanism etching yield fluorocarbon gas plasma ion-assisted chemical reaction plasma parameters polymerization

DOI 10.3390/ma14061432

PMID 33804274

发布时间 2021-04-08

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Materials (Basel, Switzerland)

Materials (Basel, Switzerland)

2021年14卷6期

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