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首页> Materials (Basel, Switzerland)> Growth of Semi-Polar (101¯3) AlN Film on M-Plane Sapphire with High-Temperature Nitridation by HVPE.

Growth of Semi-Polar (101¯3) AlN Film on M-Plane Sapphire with High-Temperature Nitridation by HVPE.

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作者： Xu,Li ^[1] ; Jianyun,Zhao ^[1] ; Ting,Liu ^[1] ; Yong,Lu ^[1] ; Jicai,Zhang ^[1]

作者单位： College of Mathematics and Physics, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, China. ^[1] State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, China. ^[2]

关键词 aluminum nitride high-temperature nitridation nano-hole semi-polar

DOI 10.3390/ma14071722

PMID 33807424

发布时间 2021-04-13

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Materials (Basel, Switzerland)

Materials (Basel, Switzerland)

2021年14卷7期

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