Structural Characterization of Al<sub>0.37</sub>In<sub>0.63</sub>N/AlN/p-Si (111) Heterojunctions Grown by RF Sputtering for Solar Cell Applications.

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作者： Arántzazu,Núñez-Cascajero ^[1] ; Fernando B,Naranjo ^[2] ; María,de la Mata ^[1] ; Sergio I,Molina ^[3]

作者单位： Departamento de Electrónica, Universidad de Alcalá, GRIFO, 28871 Alcalá de Henares, Spain. ^[1] Departamento de Tecnología Electrónica, Universidad Carlos III de Madrid, 28911 Leganés, Spain. ^[2] Departamento de Ciencias de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorganica, Universidad de Cádiz, IMEYMAT, 11510 Cádiz, Spain. ^[3]

关键词 AlInN AlN buffer III-nitrides RF sputtering TEM

DOI 10.3390/ma14092236

PMID 33925320

发布时间 2021-05-17

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Materials (Basel, Switzerland)

2021年14卷9期

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