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首页> Nano letters> Odd Integer Quantum Hall States with Interlayer Coherence in Twisted Bilayer Graphene.

Odd Integer Quantum Hall States with Interlayer Coherence in Twisted Bilayer Graphene.

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第一作者： Youngwook,Kim
第一单位： Max-Planck-Institut für Festköperforschung, 70569 Stuttgart, Germany.;Department of Emerging Materials Science, DGIST, 42988 Daegu, Korea.
作者： Youngwook,Kim [1] ; Pilkyung,Moon [2] ; Kenji,Watanabe [3] ; Takashi,Taniguchi [4] ; Jurgen H,Smet [5]
作者单位： Max-Planck-Institut für Festköperforschung, 70569 Stuttgart, Germany.;Department of Emerging Materials Science, DGIST, 42988 Daegu, Korea. [1] Arts and Sciences, NYU Shanghai, Shanghai 200122, China and NYU-ECNU Institute of Physics at NYU Shanghai, Shanghai 200062, China. [2] Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan. [3] International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan. [4] Max-Planck-Institut für Festköperforschung, 70569 Stuttgart, Germany. [5]
关键词 Bose?Einstein condensationinterlayer coherencequantum Hall effecttwisted bilayer graphene
DOI 10.1021/acs.nanolett.1c00360
PMID 33955215
发布时间 2021-07-21
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Nano letters

Nano letters

2021年21卷10期

4249-4254页

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