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首页> ACS nano> Engineering Wafer-Scale Epitaxial Two-Dimensional Materials through Sapphire Template Screening for Advanced High-Performance Nanoelectronics.

Engineering Wafer-Scale Epitaxial Two-Dimensional Materials through Sapphire Template Screening for Advanced High-Performance Nanoelectronics.

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第一作者： Yuanyuan,Shi
第一单位： IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium.
作者： Yuanyuan,Shi [1] ; Benjamin,Groven [1] ; Jill,Serron [1] ; Xiangyu,Wu [2] ; Ankit,Nalin Mehta [3] ; Albert,Minj [3] ; Stefanie,Sergeant [1] ; Han,Han [1] ; Inge,Asselberghs [1] ; Dennis,Lin [1] ; Steven,Brems [1] ; Cedric,Huyghebaert [1] ; Pierre,Morin [1] ; Iuliana,Radu [1] ; Matty,Caymax [1]
作者单位： IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium. [1] IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium.;Department of Materials Engineering, KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 44, 3001 Leuven, Belgium. [2] IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium.;Department of Physics and Astronomy, KU Leuven, Celestijnenlaan 200d, 3001 Leuven, Belgium. [3]
关键词 device-to-device variabilityepitaxial growthfield-effect transistorsmetal?organic chemical vapor depositionsapphire templatetransition metal dichalcogenidesuniformity
DOI 10.1021/acsnano.0c07761
PMID 34042437
发布时间 2021-06-23
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ACS nano

ACS nano

2021年15卷6期

9482-9494页

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