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首页> Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)> Emerging 2D Memory Devices for In-Memory Computing.

Emerging 2D Memory Devices for In-Memory Computing.

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第一作者： Lei,Yin
第一单位： Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, and School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, 430072, P. R. China.
作者： Lei,Yin [1] ; Ruiqing,Cheng [1] ; Yao,Wen [1] ; Chuansheng,Liu [1] ; Jun,He [1]
作者单位： Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, and School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, 430072, P. R. China. [1]
关键词 2D layered materials2D memory devicesin-memory computingvan der Waals heterostructures
DOI 10.1002/adma.202007081
PMID 34105195
发布时间 2021-07-22
基金项目
2018YFA0703700/National Key R&D Program of China 2016YFA0200700/National Key R&D Program of China 91964203/National Natural Science Foundation of China 61851403/National Natural Science Foundation of China 61625401/National Natural Science Foundation of China 61974036/National Natural Science Foundation of China 62004142/National Natural Science Foundation of China XDB30000000/Strategic Priority Research Program of Chinese Academy of Sciences ::CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication:: ::Youth Innovation Promotion Association CAS::
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Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)

Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)

2021年33卷29期

e2007081页

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