GaAs Nanomembranes in the High Electron Mobility Transistor Technology.

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第一作者： Dagmar,Gregušová

第一单位： Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dúbravská Cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia.

作者： Dagmar,Gregušová ^[1] ; Edmund,Dobročka ^[1] ; Peter,Eliáš ^[1] ; Roman,Stoklas ^[1] ; Michal,Blaho ^[1] ; Ondrej,Pohorelec ^[1] ; Štefan,Haščík ^[1] ; Michal,Kučera ^[1] ; Róbert,Kúdela ^[1]

作者单位： Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dúbravská Cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia. ^[1]

关键词 GaAs HEMT InGaAs channel epitaxial lift-off hybrid integration nanomembrane van der Waals

DOI 10.3390/ma14133461

PMID 34206408

发布时间 2021-07-11

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Materials (Basel, Switzerland)

2021年14卷13期

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