Ferroelectric field-effect transistors based on HfO<sub>2</sub>: a review.

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作者： Halid,Mulaosmanovic ^[1] ; Evelyn T,Breyer ^[1] ; Stefan,Dünkel ^[2] ; Sven,Beyer ^[2] ; Thomas,Mikolajick ^[1] ; Stefan,Slesazeck ^[3]

作者单位： NaMLab gGmbH, 01187 Dresden, Germany. ^[1] GlobalFoundries, Dresden Module One LLC & Co. KG, 01109 Dresden, Germany. ^[2] Chair of Nanoelectronics, TU Dresden, 01062 Dresden, Germany. ^[3]

关键词 ferroelectric FET (FeFET)ferroelectric field-effect transistor ferroelectric hafnium oxide ferroelectric memory ferroelectric switching nonvolatile memory solid-state memory

DOI 10.1088/1361-6528/ac189f

PMID 34320479

发布时间 2021-09-22

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Nanotechnology

2021年32卷50期

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