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首页> ACS nano> Atomistic Insights on the Full Operation Cycle of a HfO<sub>2</sub>-Based Resistive Random Access Memory Cell from Molecular Dynamics.

Atomistic Insights on the Full Operation Cycle of a HfO<sub>2</sub>-Based Resistive Random Access Memory Cell from Molecular Dynamics.

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第一作者： M Laura,Urquiza
第一单位： Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Autònoma de Barcelona, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain.
作者： M Laura,Urquiza [1] ; Md Mahbubul,Islam [2] ; Adri C T,van Duin [3] ; Xavier,Cartoixà [1] ; Alejandro,Strachan [4]
作者单位： Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Autònoma de Barcelona, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain. [1] Department of Mechanical Engineering, Wayne State University, Detroit, Michigan 48202, United States. [2] Department of Mechanical Engineering, Pennsylvania State University, 240 Research East Building, University Park, Pennsylvania 16802, United States. [3] School of Materials Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, United States. [4]
关键词 EChemDIDMDRRAMforming-reset-setvalence change mechanism
DOI 10.1021/acsnano.1c01466
PMID 34329560
发布时间 2021-09-27
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ACS nano

ACS nano

2021年15卷8期

12945-12954页

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