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    首页> ACS applied materials & interfaces> Toward Low-Temperature Solid-Source Synthesis of Monolayer MoS<sub>2</sub>.

    Toward Low-Temperature Solid-Source Synthesis of Monolayer MoS<sub>2</sub>.

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    作者： Alvin,Tang [1] ; Aravindh,Kumar [1] ; Marc,Jaikissoon [1] ; Krishna,Saraswat [1] ; H-S Philip,Wong [2] ; Eric,Pop [3]
    作者单位： Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, United States. [1] Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, United States. [2] Precourt Institute for Energy, Stanford University, Stanford, California 94305, United States. [3]
    关键词 2D materialsBEOLCVD growthMoS2back-end-of-the-linecarrier mobilitychemical vapor depositionmolybdenum disulfidetransition metal dichalcogenides
    DOI 10.1021/acsami.1c06812
    PMID 34427445
    发布时间 2021-09-08
    提交
    • 浏览4
    ACS applied materials & interfaces

    ACS applied materials & interfaces

    2021年13卷35期

    41866-41874页

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