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Artificial Neural Network Assisted Error Correction for MLC NAND Flash Memory.

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第一作者： Ruiquan,He

第一单位： ZTE School of Information Technology, Xinyu University, Xinyu 338025, China.

作者： Ruiquan,He ^[1] ; Haihua,Hu ^[2] ; Chunru,Xiong ^[1] ; Guojun,Han ^[1]

作者单位： ZTE School of Information Technology, Xinyu University, Xinyu 338025, China. ^[1] School of Information Engineering, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, China. ^[2]

关键词 NAND flash memory artificial neural network error correction code reliability

DOI 10.3390/mi12080879

PMID 34442501

发布时间 2021-08-30

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