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首页> ACS applied materials & interfaces> Thermoreflectance Imaging of (Ultra)wide Band-Gap Devices with MoS<sub>2</sub> Enhancement Coatings.

Thermoreflectance Imaging of (Ultra)wide Band-Gap Devices with MoS<sub>2</sub> Enhancement Coatings.

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第一作者： Riley,Hanus
第一单位： Department of Mechanical Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30318, United States.
作者： Riley,Hanus [1] ; Sonal V,Rangnekar [2] ; Shahab,Mollah [3] ; Kamal,Hussain [3] ; Nicholas,Hines [1] ; Eric,Heller [4] ; Mark C,Hersam [2] ; Asif,Khan [3] ; Samuel,Graham [1]
作者单位： Department of Mechanical Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30318, United States. [1] Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University, Evanston, Illinois 60208, United States. [2] Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, South Carolina 29208, United States. [3] Air Force Research Laboratory Materials and Manufacturing Directorate, Wright-Patterson Air Force Base, Dayton, Ohio 45433, United States. [4]
关键词 AlGaNGaNpower electronicsradio frequency (RF) electronicsthermal imagingthermoreflectanceultrawide band gapwide band gap
DOI 10.1021/acsami.1c11528
PMID 34449192
发布时间 2021-09-08
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ACS applied materials & interfaces

ACS applied materials & interfaces

2021年13卷35期

42195-42204页

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