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首页> Nanomaterials (Basel, Switzerland)> Unified Model of Shot Noise in the Tunneling Current in Sub-10 nm MOSFETs.

Unified Model of Shot Noise in the Tunneling Current in Sub-10 nm MOSFETs.

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第一作者： Jonghwan,Lee
第一单位： Department of System Semiconductor Engineering, Sangmyung University, Cheonan 31066, Korea.
作者： Jonghwan,Lee [1]
作者单位： Department of System Semiconductor Engineering, Sangmyung University, Cheonan 31066, Korea. [1]
关键词 Fano factorgate tunneling currentsequential tunnelingshot noisesource-to-drain tunneling current
DOI 10.3390/nano11102759
PMID 34685204
发布时间 2021-10-26
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Nanomaterials (Basel, Switzerland)

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2021年11卷10期

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