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首页> Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)> Van der Waals Epitaxy of Bi<sub>2</sub> Te<sub>2</sub> Se/Bi<sub>2</sub> O<sub>2</sub> Se Vertical Heterojunction for High Performance Photodetector.

Van der Waals Epitaxy of Bi<sub>2</sub> Te<sub>2</sub> Se/Bi<sub>2</sub> O<sub>2</sub> Se Vertical Heterojunction for High Performance Photodetector.

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第一作者： Sijie,Yang
第一单位： State Key Laboratory of Materials Processing and Die & Mould Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, P. R. China.
作者： Sijie,Yang [1] ; Peng,Luo [1] ; Fakun,Wang [1] ; Teng,Liu [1] ; Yinghe,Zhao [1] ; Ying,Ma [1] ; Huiqiao,Li [1] ; Tianyou,Zhai [1]
作者单位： State Key Laboratory of Materials Processing and Die & Mould Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, P. R. China. [1]
关键词 Bi 2O 2SeBi 2Te 2Sefield-effect transistorsphotodetectorsvan der Waals epitaxyvertical heterojunctions
DOI 10.1002/smll.202105211
PMID 34850539
发布时间 2022-02-10
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Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)

Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)

2022年18卷6期

e2105211页

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