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    首页> ACS applied materials & interfaces> Dry-Etchable Molecular Layer-Deposited Inhibitor Using Annealed Indicone Film for Nanoscale Area-Selective Deposition.

    Dry-Etchable Molecular Layer-Deposited Inhibitor Using Annealed Indicone Film for Nanoscale Area-Selective Deposition.

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    作者： Seunghwan,Lee [1] ; Hye-Mi,Kim [1] ; GeonHo,Baek [2] ; Jin-Seong,Park [1]
    作者单位： Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 04763, Republic of Korea. [1] Division of Nano-Scale Semiconductor Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 04763, Republic of Korea. [2]
    关键词 AS-ALDMLDaluconeetching mechanismreactive ion etchingthermal annealing
    DOI 10.1021/acsami.1c16112
    PMID 34878240
    发布时间 2021-12-23
    提交
    • 浏览0
    ACS applied materials & interfaces

    ACS applied materials & interfaces

    2021年13卷50期

    60144-60153页

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