更多
通知
  • 医学文献
  • 知识库
  • 评价分析
  • 全部
  • 中外期刊
  • 学位
  • 会议
  • 专利
  • 成果
  • 标准
  • 法规
    高级检索 检索偏好
    • 临床诊疗知识库
    • 中医药知识库
    • 机构
    • 作者
    热搜词：
    换一批
    论文 期刊
    取消
    高级检索

    检索历史 清除

    医学文献>>
    • 全部
    • 中外期刊
    • 学位
    • 会议
    • 专利
    • 成果
    • 标准
    • 法规
    知识库 >>
    • 临床诊疗知识库
    • 中医药知识库
    评价分析 >>
    • 机构
    • 作者
    高级检索 检索偏好
    热搜词：
    换一批
    首页> Materials (Basel, Switzerland)> Materials and Processes for Schottky Contacts on Silicon Carbide.

    Materials and Processes for Schottky Contacts on Silicon Carbide.

    导出 OA
    翻译 打印 收藏 分享
    • 新浪微博
    • 微信
    • QQ空间
    • 豆瓣
     纠错
    广告
    第一作者： Marilena,Vivona
    第一单位： Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada VIII, n. 5-Zona Industriale, I-95121 Catania, Italy.
    作者： Marilena,Vivona [1] ; Filippo,Giannazzo [1] ; Fabrizio,Roccaforte [1]
    作者单位： Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (CNR-IMM), Strada VIII, n. 5-Zona Industriale, I-95121 Catania, Italy. [1]
    关键词 4H-SiCSchottky barrierSchottky diodeselectrical characterizationsilicon carbide
    DOI 10.3390/ma15010298
    PMID 35009445
    发布时间 2022-01-14
    提交
    • 浏览0
    Materials (Basel, Switzerland)

    Materials (Basel, Switzerland)

    2021年15卷1期

    相似文献

    • 中文期刊
    • 外文期刊
    • 学位论文
    • 会议论文

    加载中！

    加载中！

    加载中！

    加载中！

    • 浏览0

    相关期刊

    加载中！

    特别提示：本网站仅提供医学学术资源服务，不销售任何药品和器械，有关药品和器械的销售信息，请查阅其他网站。

    • 客服热线：4000-115-888 转3 (周一至周五：8:00至17:00)

    • |

    • 客服邮箱：yiyao@wanfangdata.com.cn

    • 违法和不良信息举报电话：4000-115-888，举报邮箱：problem@wanfangdata.com.cn，举报专区

    官方微信
    万方医学小程序
    new翻译 充值 订阅 收藏 移动端

    官方微信

    万方医学小程序

    使用
    帮助
    Alternate Text
    调查问卷