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首页> ACS nano> Mixed-Dimensional 1D/2D van der Waals Heterojunction Diodes and Transistors in the Atomic Limit.

Mixed-Dimensional 1D/2D van der Waals Heterojunction Diodes and Transistors in the Atomic Limit.

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第一作者： Jakub,Jadwiszczak
第一单位： Department of Electrical Engineering, Columbia University, 500 West 120th Street, New York, New York 10027, United States.
作者： Jakub,Jadwiszczak [1] ; Jeffrey,Sherman [1] ; David,Lynall [1] ; Yang,Liu [2] ; Boyan,Penkov [1] ; Erik,Young [1] ; Rachael,Keneipp [3] ; Marija,Drndić [3] ; James C,Hone [2] ; Kenneth L,Shepard [4]
作者单位： Department of Electrical Engineering, Columbia University, 500 West 120th Street, New York, New York 10027, United States. [1] Department of Mechanical Engineering, Columbia University, 500 West 120th Street, New York, New York 10027, United States. [2] Department of Physics and Astronomy, University of Pennsylvania, Philadelphia, Pennsylvania 19104, United States. [3] Department of Electrical Engineering, Columbia University, 500 West 120th Street, New York, New York 10027, United States.;Department of Biomedical Engineering, Columbia University, 1210 Amsterdam Avenue, New York, New York 10027, United States. [4]
关键词 MoS2carbon nanotubeheterojunctionjunction field-effect transistormixed-dimensionalnegative resistancevan der Waals heterostructure
DOI 10.1021/acsnano.1c10524
PMID 35014261
发布时间 2022-11-12
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ACS nano

ACS nano

2022年16卷1期

1639-1648页

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