Gradients in Three-Dimensional Core-Shell GaN/InGaN Structures: Optimization and Physical Limitations.

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第一作者： Irene,Manglano Clavero

第一单位： Institute of Semiconductor Technology, Technische Universität Braunschweig, Hans-Sommer-Straße 66, Braunschweig D-38106, Germany.

作者： Irene,Manglano Clavero ^[1] ; Christoph,Margenfeld ^[2] ; Jonas,Quatuor ^[1] ; Hendrik,Spende ^[2] ; Lukas,Peters ^[3] ; Ulrich T,Schwarz ^[1] ; Andreas,Waag ^[2]

作者单位： Institute of Semiconductor Technology, Technische Universität Braunschweig, Hans-Sommer-Straße 66, Braunschweig D-38106, Germany. ^[1] Laboratory for Emerging Nanometrology (LENA), Technische Universität Braunschweig, Langer Kamp 6, Braunschweig D-38106, Germany. ^[2] Institut für Physik, Technische Universität Chemnitz, Reichenhainer Straße 70, Chemnitz D-09126, Germany. ^[3]

关键词 3D structures InGaN gas-phase diffusion indium gradient microfins nonpolar surface diffusion tapering

DOI 10.1021/acsami.1c19490

PMID 35138799

发布时间 2022-02-24

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