GaN Heterostructures as Innovative X-ray Imaging Sensors-Change of Paradigm.

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第一作者： Stefan,Thalhammer

第一单位： Experimental Physics I, University of Augsburg, Universitätsstrasse 1, D-86159 Augsburg, Germany.

作者： Stefan,Thalhammer ^[1] ; Andreas,Hörner ^[2] ; Matthias,Küß ^[1] ; Stephan,Eberle ^[1] ; Florian,Pantle ^[1] ; Achim,Wixforth ^[3] ; Wolfgang,Nagel ^[1]

作者单位： Experimental Physics I, University of Augsburg, Universitätsstrasse 1, D-86159 Augsburg, Germany. ^[1] Senray Technologies GbR, Ebenböckstrasse 23, D-81241 Munich, Germany. ^[2] Walter Schottky Institut, Technical University Munich, Am Coulombwall 4, D-85748 Garching, Germany. ^[3]

关键词 2DEG GaN-HEMT mesa structures X-ray imaging X-ray sensor

DOI 10.3390/mi13020147

PMID 35208272

发布时间 2022-02-28

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2022年13卷2期

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