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High performance and gate-controlled GeSe/HfS<sub>2</sub> negative differential resistance device.

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作者单位: Department of Physics, Riphah International University 13 Raiwind Road Lahore Pakistan amirafzal461@gmail.com. [1] Nanotechnology Research Laboratory, Faculty of Engineering Sciences, GIK Institute of Engineering Sciences and Technology Topi 23640 Khyber Pakhtunkhwa Pakistan. [2] Department of Physics, Faculty of Applied Science, Umm-Al-Qura University 21955 Makkah Saudi Arabia. [3] Department of Physics &amp; Astronomy, Graphene Research Institute-Texas Photonics Center International Research Center (GRI-TPC IRC), Sejong University Seoul 05006 Korea. [4] Department of Physics, University of Agriculture Faisalabad 38000 Pakistan. [5] Department of Physics, GC University Faisalabad 38000 Pakistan. [6] Department of Physics, University of Lakki Marwat Lakki Marwat KPK Pakistan. [7] Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University P.O. Box 9004 Abha Saudi Arabia. [8] Laboratoire de Physique de la Matière Condensée, Département de Physique, Faculté des Sciences de Tunis, Université Tunis El Manar, Campus Universitaire 1060 Tunis Tunisia. [9] Greater Bay Area Institute of Precision Medicine (Guangzhou), Fudan University Nansha District Guangzhou Guangdong 511458 P. R. China. [10]
DOI 10.1039/d1ra07276e
PMID 35425203
发布时间 2022-04-16
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