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Optimization of Feedback FET with Asymmetric Source Drain Doping Profile.

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第一作者： Inyoung,Lee

第一单位： Department of Electronic Engineering, Myongji University, Yongin-si 17058, Gyeonggi-do, Korea.

作者： Inyoung,Lee ^[1] ; Hyojin,Park ^[1] ; Quan The,Nguyen ^[1] ; Garam,Kim ^[1] ; Seongjae,Cho ^[2] ; Ilhwan,Cho ^[1]

作者单位： Department of Electronic Engineering, Myongji University, Yongin-si 17058, Gyeonggi-do, Korea. ^[1] Department of Electronic Engineering, Gachon University, Seongnam-si 13120, Gyeonggi-do, Korea. ^[2]

关键词 TCAD device optimization feedback field-effect transistor (FBFET)on–off current ratio subthreshold swing

DOI 10.3390/mi13040508

PMID 35457814

发布时间 2022-07-16

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