First principles study of Schottky barriers at Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>(100)/metal interfaces.

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作者： Ran,Xu ^[1] ; Na,Lin ^[2] ; Zhitai,Jia ^[1] ; Yueyang,Liu ^[3] ; Haoyuan,Wang ^[1] ; Yifei,Yu ^[2] ; Xian,Zhao ^[1]

作者单位： State Key Lab of Crystal Materials, Shandong University 250100 Jinan P. R. China linnakth@gmail.com xianzhao@sdu.edu.cn. ^[1] State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 100083 Beijing P. R. China yueyangliu@semi.ac.cn. ^[2] Department of Chemistry, University of Calgary T2N 1N4 Calgary Alberta Canada. ^[3]

DOI 10.1039/c9ra09521g

PMID 35497154

发布时间 2022-05-03

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2020年10卷25期

14746-14752页

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