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Compute-in-Memory for Numerical Computations.

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第一作者： Dongyan,Zhao

第一单位： State Grid Key Laboratory of Power Industrial Chip Design and Analysis Technology, Beijing Smart-Chip Microelectronics Technology Co., Ltd., Beijing 100192, China.

作者： Dongyan,Zhao ^[1] ; Yubo,Wang ^[1] ; Jin,Shao ^[1] ; Yanning,Chen ^[2] ; Zhiwang,Guo ^[3] ; Cheng,Pan ^[1] ; Guangzhi,Dong ^[4] ; Min,Zhou ^[1] ; Fengxia,Wu ^[4] ; Wenhe,Wang ^[1] ; Keji,Zhou ^[3] ; Xiaoyong,Xue ^[3]

作者单位： State Grid Key Laboratory of Power Industrial Chip Design and Analysis Technology, Beijing Smart-Chip Microelectronics Technology Co., Ltd., Beijing 100192, China. ^[1] State Grid Key Laboratory of Power Industrial Chip Design and Analysis Technology, Beijing Smart-Chip Microelectronics Technology Co., Ltd., Beijing 100192, China.;Beijing Chip Identification Technology Co., Ltd., Beijing 100192, China. ^[2] State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 201203, China. ^[3] Beijing Chip Identification Technology Co., Ltd., Beijing 100192, China. ^[4]

关键词 compute-in-memory (CIM)crossbar numerical computations partial differential equations (PDEs)resistive random-access memory (ReRAM)

DOI 10.3390/mi13050731

PMID 35630198

发布时间 2022-07-16

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