Multiscale simulations of uni-polar hole transport in (In,Ga)N quantum well systems.

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第一作者： Michael,O'Donovan

第一单位： Tyndall National Institute, Universite College Cork, Cork, T12 R5CP Ireland.

作者： Michael,O'Donovan ^[1] ; Patricio,Farrell ^[2] ; Timo,Streckenbach ^[3] ; Thomas,Koprucki ^[3] ; Stefan,Schulz ^[3]

作者单位： Tyndall National Institute, Universite College Cork, Cork, T12 R5CP Ireland. ^[1] Department of Physics, University College Cork, Cork, T12 YN60 Ireland. ^[2] Weierstrass Institute (WIAS), Mohrenstr. 39, 10117 Berlin, Germany. ^[3]

关键词 Charge transport Fluctuations III-nitride InGaN I–V characteristics Multiscale modelling Numerical simulation Semiconductor device models

DOI 10.1007/s11082-022-03752-2

PMID 35694654

发布时间 2022-07-16

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Optical and quantum electronics

2022年54卷7期

405页

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