Experimentally-Verified Modeling of InGaAs Quantum Dots.

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第一作者： Alexander N,Kosarev

第一单位： Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya Str., 194021 Saint Petersburg, Russia.

作者： Alexander N,Kosarev ^[1] ; Vladimir V,Chaldyshev ^[1] ; Nikolay,Cherkashin ^[2]

作者单位： Ioffe Institute, 26 Politekhnicheskaya Str., 194021 Saint Petersburg, Russia. ^[1] CEMES-CNRS and Université de Toulouse, 29 Rue J. Marvig, 31055 Toulouse, France. ^[2]

关键词 InGaAs localized states modeling quantum dot strain-stress field

DOI 10.3390/nano12121967

PMID 35745307

发布时间 2022-07-16

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Nanomaterials (Basel, Switzerland)

2022年12卷12期

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