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首页> ACS applied materials & interfaces> Roles of Oxygen Interstitial Defects in Atomic-Layer Deposited InGaZnO Thin Films with Controlling the Cationic Compositions and Gate-Stack Processes for the Devices with Subμm Channel Lengths.

Roles of Oxygen Interstitial Defects in Atomic-Layer Deposited InGaZnO Thin Films with Controlling the Cationic Compositions and Gate-Stack Processes for the Devices with Subμm Channel Lengths.

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作者： Soo-Hyun,Bae ^[1] ; Jong-Heon,Yang ^[2] ; Yong-Hae,Kim ^[2] ; Young Ha,Kwon ^[3] ; Nak-Jin,Seong ^[3] ; Kyu-Jeong,Choi ^[3] ; Chi-Sun,Hwang ^[2] ; Sung-Min,Yoon ^[1]

作者单位： Department of Advanced Materials Engineering for Information and Electronics, Kyung Hee University, Yongin, Gyeonggi-do 17104, Korea. ^[1] ICT Creative Research Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute, Daejeon 34129, Korea. ^[2] NCD Co. Ltd, Daejeon 34015, Korea. ^[3]

关键词 In?Ga?Zn-O (IGZO)atomic layer deposition (ALD)gate-stack oxide semiconductor thin-film transistor

DOI 10.1021/acsami.2c07258

PMID 35785988

发布时间 2022-07-13

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2022年14卷27期

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