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    首页> ACS applied materials & interfaces> ToF-SIMS Li Depth Profiling of Pure and Methylated Amorphous Silicon Electrodes After Their Partial Lithiation.

    ToF-SIMS Li Depth Profiling of Pure and Methylated Amorphous Silicon Electrodes After Their Partial Lithiation.

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    作者： Yue,Feng [1] ; Bon Min,Koo [1] ; Antoine,Seyeux [2] ; Jolanta,Światowska [2] ; Catherine,Henry de Villeneuve [1] ; Michel,Rosso [1] ; François,Ozanam [1]
    作者单位： Laboratoire de Physique de la Matière Condensée, CNRS, Ecole Polytechnique, Institut Polytechnique de Paris, Palaiseau 91120, France. [1] PSL Research University, CNRS─Chimie ParisTech Institut de Recherche de Chimie Paris (IRCP), Physical Chemistry of Surfaces Group, 11 rue Pierre et Marie Curie, Paris 75005, France. [2]
    关键词 ToF-SIMSlithiation frontlithium diffusionlithium-ion batterymethylated amorphous siliconthin-film electrode
    DOI 10.1021/acsami.2c08203
    PMID 35882598
    发布时间 2022-08-10
    提交
    • 浏览8
    ACS applied materials & interfaces

    ACS applied materials & interfaces

    2022年14卷31期

    35716-35725页

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