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    首页> Nanomaterials (Basel, Switzerland)> Polarization-Induced Phase Transitions in Ultra-Thin InGaN-Based Double Quantum Wells.

    Polarization-Induced Phase Transitions in Ultra-Thin InGaN-Based Double Quantum Wells.

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    第一作者： Sławomir P,Łepkowski
    第一单位： Institute of High Pressure Physics-Unipress, Polish Academy of Sciences, ul. Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa, Poland.
    作者： Sławomir P,Łepkowski [1] ; Abdur Rehman,Anwar [1]
    作者单位： Institute of High Pressure Physics-Unipress, Polish Academy of Sciences, ul. Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa, Poland. [1]
    关键词 double quantum wellsgroup-III nitridestopological insulatorstopological phase transition
    DOI 10.3390/nano12142418
    PMID 35889639
    发布时间 2023-03-08
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    Nanomaterials (Basel, Switzerland)

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    2022年12卷14期

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