In(Ga)N 3D Growth on GaN-Buffered On-Axis and Off-Axis (0001) Sapphire Substrates by MOCVD.

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第一作者： Alica,Rosová

第一单位： Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dúbravská Cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia.

作者： Alica,Rosová ^[1] ; Edmund,Dobročka ^[1] ; Peter,Eliáš ^[1] ; Stanislav,Hasenöhrl ^[1] ; Michal,Kučera ^[1] ; Filip,Gucmann ^[1] ; Ján,Kuzmík ^[1]

作者单位： Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dúbravská Cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia. ^[1]

关键词 III-N semiconductors InGaN InN TEM epitaxial growth photoluminescence quantum dots self-assembly

DOI 10.3390/nano12193496

PMID 36234625

发布时间 2022-10-17

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Nanomaterials (Basel, Switzerland)

2022年12卷19期

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