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Photon-Trapping Microstructure for InGaAs/Si Avalanche Photodiodes Operating at 1.31 μm.

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第一作者： Hewei,Zhang

第一单位： Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China.

作者： Hewei,Zhang ^[1] ; Yang,Tian ^[1] ; Qian,Li ^[1] ; Wenqiang,Ding ^[1] ; Xuzhen,Yu ^[1] ; Zebiao,Lin ^[1] ; Xuyang,Feng ^[1] ; Yanli,Zhao ^[1]

作者单位： Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China. ^[1]

关键词 F-P resonant cavity InGaAs/Si avalanche photodiodes photon trapping

DOI 10.3390/s22207724

PMID 36298075

发布时间 2022-10-30

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Sensors (Basel, Switzerland)

Sensors (Basel, Switzerland)

2022年22卷20期

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