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首页> ACS nano> Low Power In-Memory Computation with Reciprocal Ferromagnet/Topological Insulator Heterostructures.

Low Power In-Memory Computation with Reciprocal Ferromagnet/Topological Insulator Heterostructures.

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第一作者： Hamed,Vakili
第一单位： Department of Physics, University of Virginia, Charlottesville, Virginia22904, United States.
作者： Hamed,Vakili [1] ; Samiran,Ganguly [2] ; George J,de Coster [3] ; Mahesh R,Neupane [4] ; Avik W,Ghosh [5]
作者单位： Department of Physics, University of Virginia, Charlottesville, Virginia22904, United States. [1] Department of Electrical and Computer Engineering, University of Virginia, Charlottesville, Virginia22904, United States.;Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, Virginia23284, United States. [2] DEVCOM Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, Maryland20783, United States. [3] DEVCOM Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, Maryland20783, United States.;Materials Science and Engineering Program, University of California, Riverside, California92521, United States. [4] Department of Physics, University of Virginia, Charlottesville, Virginia22904, United States.;Department of Electrical and Computer Engineering, University of Virginia, Charlottesville, Virginia22904, United States. [5]
关键词 3D topological insulatorferromagnetic heterostructuresin-memory computingquantum transportspintronics
DOI 10.1021/acsnano.2c05645
PMID 36459145
发布时间 2024-09-10
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ACS nano

ACS nano

2022年16卷12期

20222-20228页

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