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首页> Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)> Salt-Assisted Low-Temperature Growth of 2D Bi<sub>2</sub> O<sub>2</sub> Se with Controlled Thickness for Electronics.

Salt-Assisted Low-Temperature Growth of 2D Bi<sub>2</sub> O<sub>2</sub> Se with Controlled Thickness for Electronics.

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第一作者： Usman,Khan
第一单位： Institute of Functional Porous Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang Sci-Tech University, Hangzhou, 310018, P. R. China.;Zhejiang Provincial Innovation Center of Advanced Textile Technology, Shaoxing, 312000, P. R. China.
作者： Usman,Khan [1] ; Adeela,Nairan [1] ; Karim,Khan [2] ; Sean,Li [3] ; Bilu,Liu [4] ; Junkuo,Gao [1]
作者单位： Institute of Functional Porous Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang Sci-Tech University, Hangzhou, 310018, P. R. China.;Zhejiang Provincial Innovation Center of Advanced Textile Technology, Shaoxing, 312000, P. R. China. [1] School of Electrical Engineering & Intelligentization, Dongguan University of Technology, Dongguan, 523808, P. R. China. [2] School of Materials Science and Engineering, The University of New South Wales, Sydney, 2052, Australia. [3] Shenzhen Geim Graphene Center, Tsinghua-Berkeley Shenzhen Institute & Institute of Materials Research, Tsinghua Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518055, P. R. China. [4]
关键词 2D materialsBi 2O 2Se, field-effect transistorsmillimeter-size single crystalssalt-assisted?chemical vapor deposition (CVD)stability
DOI 10.1002/smll.202206648
PMID 36538737
发布时间 2023-03-13
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Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)

Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)

2023年19卷10期

e2206648页

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