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Ferroelectric Devices for Content-Addressable Memory.

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第一作者： Mikhail,Tarkov

第一单位： Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090 Novosibirsk, Russia.

作者： Mikhail,Tarkov ^[1] ; Fedor,Tikhonenko ^[1] ; Vladimir,Popov ^[1] ; Valentin,Antonov ^[1] ; Andrey,Miakonkikh ^[2] ; Konstantin,Rudenko ^[2]

作者单位： Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090 Novosibirsk, Russia. ^[1] Valiev Institute of Physics and Technology RAS, 117218 Moscow, Russia. ^[2]

关键词 FTJ FeFET content-addressable memory ferroelectric memristor

DOI 10.3390/nano12244488

PMID 36558341

发布时间 2024-09-09

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Nanomaterials (Basel, Switzerland)

2022年12卷24期

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