A non-volatile AND gate based on Al2O3/HfO2/Al2O3 charge-trap stack for in-situ storage applications.

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作者： Jingyu,Li ^[1] ; Heng,Zhang ^[1] ; Yi,Ding ^[1] ; Jiayi,Li ^[1] ; Shuiyuan,Wang ^[1] ; David Wei,Zhang ^[1] ; Peng,Zhou ^[2]

作者单位： State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China. ^[1] State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China. Electronic address: pengzhou@fudan.edu.cn. ^[2]

关键词 AND gate Charge-trap gate stack In-situ memory Non-volatile memory

DOI 10.1016/j.scib.2019.08.012

PMID 36659560

发布时间 2023-01-20

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Science bulletin

2019年64卷20期

1518-1524页

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A non-volatile AND gate based on Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/HfO<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> charge-trap stack for in-situ storage applications.

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