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首页> ACS applied materials & interfaces> Edge-Based Two-Dimensional α-In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>-MoS<sub>2</sub> Ferroelectric Field Effect Device.

Edge-Based Two-Dimensional α-In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>-MoS<sub>2</sub> Ferroelectric Field Effect Device.

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第一作者： Debopriya,Dutta
第一单位： Nanoscale Electronic Materials and Devices Laboratory, Faculty of Materials Science and Engineering, Technion - Israel Institute of Technology, Haifa 3200003, Israel.
作者： Debopriya,Dutta [1] ; Subhrajit,Mukherjee [1] ; Michael,Uzhansky [1] ; Pranab K,Mohapatra [2] ; Ariel,Ismach [2] ; Elad,Koren [1]
作者单位： Nanoscale Electronic Materials and Devices Laboratory, Faculty of Materials Science and Engineering, Technion - Israel Institute of Technology, Haifa 3200003, Israel. [1] Department of Materials Science and Engineering, Tel Aviv University, Ramat Aviv, Tel Aviv 6997801, Israel. [2]
关键词 2D materialsIn2Se3MoS2intercoupled ferroelectricityphotodetector
DOI 10.1021/acsami.3c00590
PMID 37000129
发布时间 2023-04-13
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ACS applied materials & interfaces

ACS applied materials & interfaces

2023年15卷14期

18505-18515页

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