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Writing-Speed Dependent Thresholds of Ferroelectric Domain Switching in Monolayer α-In2 Se3.

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第一作者： Weijie,Yang

第一单位： State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi'an Jiaotong University, Xi'an, 710049, China.

作者： Weijie,Yang ^[1] ; Bo,Cheng ^[1] ; Jianhua,Hou ^[1] ; Junkai,Deng ^[1] ; Xiangdong,Ding ^[1] ; Jun,Sun ^[1] ; Jefferson Zhe,Liu ^[2]

作者单位： State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi'an Jiaotong University, Xi'an, 710049, China. ^[1] Department of Mechanical Engineering, The University of Melbourne, Parkville, VIC, 3010, Australia. ^[2]

关键词 domain switching flexoelectric effect strain gradient vdW ferroelectricity writing-speed dependent effects α-In2Se3

DOI 10.1002/smtd.202300050

PMID 37144659

发布时间 2023-09-20

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2023年7卷9期

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