Density control of GaN nanowires at the wafer scale using self-assembled SiN<sub><i>x</i></sub>patches on sputtered TiN(111).

导出 LinkOut

翻译打印收藏纠错

作者： T,Auzelle ^[1] ; M,Oliva ^[1] ; P,John ^[1] ; M,Ramsteiner ^[1] ; A,Trampert ^[1] ; L,Geelhaar ^[1] ; O,Brandt ^[1]

作者单位： Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e. V., Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, Germany. ^[1]

关键词 III-nitrides incubation time molecular beam epitaxy nanowire nucleation site self-assembly transition metal nitrides

主题词纳米线(Nanowires);锡(Tin);镓(Gallium);发光(Luminescence);氧化物(Oxides)

DOI 10.1088/1361-6528/acdde8

PMID 37311438

发布时间 2023-07-03

翻译满意度评价：

准确一般字义偏差语意偏离译文作用小提交

浏览0

Nanotechnology

2023年34卷37期

相似文献

中文期刊
外文期刊
学位论文
会议论文

检索历史清除

Density control of GaN nanowires at the wafer scale using self-assembled SiN<sub><i>x</i></sub>patches on sputtered TiN(111).

Nanotechnology

相似文献

Nanotechnology

相关期刊

参考文献：
指定格式：	NoteExpress EndNote RefWorks NoteFirst

检索历史 清除

Density control of GaN nanowires at the wafer scale using self-assembled SiN<sub><i>x</i></sub>patches on sputtered TiN(111).

Nanotechnology

相似文献

Nanotechnology

相关期刊

检索历史清除