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首页> ACS applied materials & interfaces> Conduction Mechanism in Acceptor- or Donor-Doped ZrO<sub>2</sub> Bulk and Thin Films.

Conduction Mechanism in Acceptor- or Donor-Doped ZrO<sub>2</sub> Bulk and Thin Films.

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第一作者： Minseok,Kim
第一单位： Department of Urban, Energy, and Environmental Engineering, Chungbuk National University, 1 Chungdaero, Seowon-gu, Cheongju, Chungbuk 28644, Republic of Korea.
作者： Minseok,Kim [1] ; Seyoung,Oh [1] ; Byungjin,Cho [2] ; Jong Hoon,Joo [3]
作者单位： Department of Urban, Energy, and Environmental Engineering, Chungbuk National University, 1 Chungdaero, Seowon-gu, Cheongju, Chungbuk 28644, Republic of Korea. [1] Department of Urban, Energy, and Environmental Engineering, Chungbuk National University, 1 Chungdaero, Seowon-gu, Cheongju, Chungbuk 28644, Republic of Korea.;Department of Advanced Material Engineering, Chungbuk National University, 1 Chungdaero, Seowon-gu, Cheongju, Chungbuk 28644, Republic of Korea. [2] School of Earth Sciences and Environmental Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdangwagi-ro, Buk-gu, Gwangju 61005, Republic of Korea. [3]
关键词 ZrO2-based bulk and thin filmsacceptor and donor dopantconduction mechanismdefect chemistryinterface barrier height
DOI 10.1021/acsami.3c04758
PMID 37347973
发布时间 2023-07-05
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ACS applied materials & interfaces

ACS applied materials & interfaces

2023年15卷26期

31627-31634页

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