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    首页> ACS nano> Back-End-of-Line Compatible Large-Area Molybdenum Disulfide Grown on Flexible Substrate: Enabling High-Performance Low-Power Memristor Applications.

    Back-End-of-Line Compatible Large-Area Molybdenum Disulfide Grown on Flexible Substrate: Enabling High-Performance Low-Power Memristor Applications.

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    第一作者： Arindam,Bala
    第一单位： School of Advanced Materials Science & Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea.
    作者： Arindam,Bala [1] ; Anamika,Sen [1] ; Junoh,Shim [1] ; Srinivas,Gandla [1] ; Sunkook,Kim [1]
    作者单位： School of Advanced Materials Science & Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon-si, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea. [1]
    关键词 flexiblelarge arealow temperatureplasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), MoS2transfer-free
    DOI 10.1021/acsnano.3c03407
    PMID 37418238
    发布时间 2023-07-25
    提交
    • 浏览0
    ACS nano

    ACS nano

    2023年17卷14期

    13784-13791页

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