Multilevel resistive switching memory in lead-free double perovskite La[Formula: see text]NiFeO[Formula: see text] films.

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作者： Yongfu,Qin ^[1] ; Yuan,Gao ^[1] ; Fengzhen,Lv ^[1] ; Fangfang,Huang ^[1] ; Fuchi,Liu ^[1] ; Tingting,Zhong ^[1] ; Yuhang,Cui ^[1] ; Xuedong,Tian ^[1]

作者单位： College of Physical Science and Technology and Guangxi Key Laboratory of Nuclear Physics and Technology, Guangxi Normal University, Yucai Road, Guilin, 541000 China. ^[1]

关键词 LaNiFeO Multilevel resistive switching Oxygen vacancy Schottky-like barrier Space-charge-limited current

DOI 10.1186/s11671-023-03885-7

PMID 37644377

发布时间 2023-12-29

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2023年18卷1期

107页

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