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One-Step Passivation of Both Sulfur Vacancies and SiO<sub>2</sub> Interface Traps of MoS<sub>2</sub> Device.

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作者: Byungwook,Ahn [1] ; Yoonsok,Kim [2] ; Meeree,Kim [3] ; Hyang Mi,Yu [4] ; Jaehun,Ahn [1] ; Eunji,Sim [1] ; Hyunjin,Ji [1] ; Hamza Zad,Gul [5] ; Keun Soo,Kim [6] ; Kyuwook,Ihm [7] ; Hyoyoung,Lee [8] ; Eun Kyu,Kim [4] ; Seong Chu,Lim [2]
作者单位: Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea. [1] Department of Physics, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea. [2] Institute of Plasma Technology, Korea Institute of Fusion Energy, Gunsan 54004, Republic of Korea. [3] Department of Chemistry, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea. [4] Department of Electrical Engineering, University of Ulsan, Ulsan 44610, Republic of Korea. [5] Department of Electrical Engineering, Namal University, 30 km Talagang Road, Mianwali 42250, Pakistan. [6] Department of Physics and Graphene Research Institute, Sejong University, Seoul 05006, Republic of Korea. [7] Nano &amp; Interface Research Team, Pohang Accelerator Laboratory, Pohang 37673, Republic of Korea. [8] Department of Smart Fabrication Technology, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea. [9]
DOI 10.1021/acs.nanolett.3c01753
PMID 37647420
发布时间 2023-09-13
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