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首页> Nanotechnology> Probabilistic computing with voltage-controlled dynamics in magnetic tunnel junctions.

Probabilistic computing with voltage-controlled dynamics in magnetic tunnel junctions.

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第一作者： Yixin,Shao
第一单位： Department of Electrical and Computer Engineering, Northwestern University, Evanston, IL 60208, United States of America.
作者： Yixin,Shao [1] ; Christian,Duffee [1] ; Eleonora,Raimondo [2] ; Noraica,Davila [3] ; Victor,Lopez-Dominguez [4] ; Jordan A,Katine [3] ; Giovanni,Finocchio [2] ; Pedram,Khalili Amiri [1]
作者单位： Department of Electrical and Computer Engineering, Northwestern University, Evanston, IL 60208, United States of America. [1] Department of Mathematical and Computer Sciences, Physical Sciences and Earth Sciences, University of Messina, Messina I-98166, Italy. [2] Western Digital Corporation, San Jose, CA 95119, United States of America. [3] Department of Electrical and Computer Engineering, Northwestern University, Evanston, IL 60208, United States of America.;Institute of Advanced Materials (INAM), Universitat Jaume I, Castellón, E-12006, Spain. [4]
关键词 MRAMinteger factorizationmagnetic tunnel junctionsnanomagnetsprobabilistic computingtrue random number generatorsvoltage-controlled magnetic anisotropy
DOI 10.1088/1361-6528/acf6c7
PMID 37669644
发布时间 2023-09-26
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