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    首页> ACS applied materials & interfaces> AgNbO<sub>3</sub>-Based Multilayer Capacitors: Heterovalent-Ion-Substitution Engineering Achieves High Energy Storage Performances.

    AgNbO<sub>3</sub>-Based Multilayer Capacitors: Heterovalent-Ion-Substitution Engineering Achieves High Energy Storage Performances.

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    作者： Ting,Tang [1] ; Dong,Liu [1] ; Qi,Wang [1] ; Lei,Zhao [2] ; Bo-Ping,Zhang [1] ; He,Qi [3] ; Li-Feng,Zhu [1]
    作者单位： School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China. [1] College Physics Science &amp; Technology, Hebei University, Baoding 071002, China. [2] Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China. [3]
    关键词 AgNbO3BDSdielectric capacitorenergy storageheterovalent ion substitutionmultilayer capacitors
    DOI 10.1021/acsami.3c10240
    PMID 37708382
    发布时间 2023-09-27
    提交
    • 浏览0
    ACS applied materials & interfaces

    ACS applied materials & interfaces

    2023年15卷38期

    45128-45136页

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